Wissenschaftlicher Mitarbeiter
| Dipl.-Ing. Wissem Sfar Zaoui |  |
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| Telefon | +49-(0)711/685-67892 | |
| Telefax | +49-(0)711/685-67900 | |
| Zimmer | 2.406 | |
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| Anschrift |
Universität Stuttgart Institut für Elektrische und Optische Nachrichtentechnik Pfaffenwaldring 47 D-70569 Stuttgart |
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Forschungsinteressen:
In meiner Studienarbeit am Institut für Elektrische und Optische
Nachrichtentechnik habe ich die Fokussierungseigenschaften von
metallischen photonischen Kristallen untersucht. Danach habe ich mich
in meiner Diplomarbeit an University of California Santa Barbara mit
Ge/Si Avalanche-Photodioden beschäftigt. Außerdem konnte ich während
meinem Praktikum am Research Center for Advanced Science and Technology
an University of Tokyo auf dem Gebiet der optischen Dämpfungsglieder
Erfahrung sammeln.
Nun steht im Mittelpunkt meiner Doktorarbeit die Untersuchung von periodischen Strukturen sowohl im Hochfrequenz- als auch im optischen Bereich.
Im Hochfrequenzbereich werden Negativ-Index-Materialien entworfen, die die Möglichkeit bieten, eine Superlinse
mit einer Auflösung unterhalb des Beugungslimits zu bauen. Die Negativ-Index Materialien sind künstliche Materialien mit sowohl
negativer Permittivität als auch negativer Permeabilität (d.h. negativem Brechungsindex), die eine Vielzahl möglicher neuartiger
Anwendungen initiieren können, wie die Realisierung von Superlinsen.
Im optischen Bereich werden so genannte Gitterkoppler entworfen, die zur Licht-Einkopplung zwischen Glasfasern und photonischen integrierten Schaltungen in der SOI-Platform (Silicon-On-Insulator)
dienen. Aufgrund des großen Dimensionsunterschieds zwischen einer Standard-Faser mit einem Kerndurchmesser von ca. 10 μm und einem integrierten einmodigen Silizium-Wellenleiter
mit einer Eingangsfläche von ca. 0,5 μm x 0,25 μm sind hohe Einkoppelverluste zwischen integrierten photonischen Schaltungen in Silizium und der Außenwelt vorhanden.
Um die Modenfehlanpassung zu beseitigen, werden Beugungsgitter in der oberen Silizium-Schicht strukturiert, die eine akzeptable Einkoppeleffizienz gewährleisten.
Mehr Informationen unter:
Weitere Aufgaben
Begleitung der Vorlesung und Betreuung des Seminars Optoelectronic Devices and Circuits II (WS 09/10, WS 10/11 und WS 11/12)
Publikationen
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- Wissem Sfar Zaoui, María Félix Rosa, Wolfgang Vogel, Manfred Berroth, Jörg Butschke, Florian Letzkus
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"Cost-effective CMOS-compatible grating couplers with backside metal mirror and 69% coupling efficiency" - Optics Express, Vol. 20, No. 26, B238 - B243, 2012
- Manfred Berroth, Thomas Föhn, Wissem Sfar Zaoui, Wolfgang Vogel, Thomas Veigel, Markus Groezing
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"Electronic and photonic circuits for optical links beyond 100 Gb/s"
- 7th Joint Symposium on Opto-and Microelectronic Devices and Circuits (SODC), Paper M09, Hangzhou, China, 2012
- Wissem Sfar Zaoui, María Félix Rosa, Wolfgang Vogel, Manfred Berroth
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"Grating coupler serving as polarization beam splitter in silicon-on-insulator platform"
- 7th Joint Symposium on Opto-and Microelectronic Devices and Circuits (SODC), Paper M07, Hangzhou, China, 2012
- Wissem Sfar Zaoui, María Félix Rosa, Wolfgang Vogel, Manfred Berroth, Jörg Butschke, Florian Letzkus
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"High-efficient CMOS-compatible grating couplers with backside metal mirror"
- European Conference on Optical Communication (ECOC), Paper Tu.1.E.2, Amsterdam, The Netherlands, 2012
- Manfred Berroth, Wolfgang Vogel, Wissem Sfar Zaoui, Thomas Föhn, Sandra Klinger
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"Silicon photonic devices for advanced modulation formats"
- IX. ITG-Workshop, Fachgruppe 5.3.2 Photonische Komponenten und Mikrosysteme, Nürnberg, Germany, 2011 (invited talk)
- Wissem Sfar Zaoui, Ke Chen, Wolfgang Vogel, Manfred Berroth
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"Low loss broadband polarization independent fishnet negative index metamaterial at 40 GHz"
- Photon. Nanostruct.: Fundam. Appl. (2011), doi: 10.1016/j.photonics.2011.02.003
- Wissem Sfar Zaoui, Sandra Klinger, Wolfgang Vogel, Manfred Berroth
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"Photonic Crystal Polarization Beam Splitter in Silicon-On-Insulator Platform"
- 6th Joint Symposium on Opto-and Microelectronic Devices and Circuits (SODC), 75-78, Berlin, Germany, 2010
- Wissem Sfar Zaoui, Ke Chen, Wolfgang Vogel, Manfred Berroth
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"Novel low loss broadband polarization independent fishnet negative index metamaterials at 40 GHz"
- 9th International Conference on Photonic and Electromagnetic Crystal Structures (PECS-IX), Poster 32, Granada, Spain, 2010
- John E Bowers, Anand Ramaswamy, Daoxin Dai, Wissem Sfar Zaoui, Yimin Kang, Tao Yin and Mike Morse
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"Recent advances in Ge/Si PIN and APD photodetectors"
- Physica Status Solidi C, 1 - 6, 2010
- John E. Bowers, Daoxin Dai, Wissem Sfar Zaoui, Yimin Kang and Mike Morse
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"Resonant Si/Ge avalanche photodiode with an ultrahigh gain bandwidth product"
- The IEEE Photonics Society Winter Topicals Meeting Series, Paper WC2.2, Majorca, Spain, 2010 (invited paper)
- Yimin Kang, Mike Morse, Mario J. Paniccia, Mosche Zadka, Yuval Saad, Gadi Sarid,
- Alexandre Pauchard, Wissem Sfar Zaoui, Hui-Wen Chen, Daoxin Dai, John E. Bowers, Han-Din Liu,
- Dion C. Mcintosh, Xiaoguang Zheng, Joe C. Campbell
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"Monolithic Ge/Si Avalanche Photodiodes"
- Group IV Photonics (GFP), Paper WB6, San Francisco, CA, USA, 2009
- S. Klinger, M. Grözing, Wissem Sfar Zaoui, M. Berroth, M. Kaschel, M. Oehme, E. Kasper, J. Schulze
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"Ge on Si p-i-n Photodiodes for a Bit Rate of up to 25 Gbit/s"
- European Conference on Optical Communication (ECOC), Paper 9.2.3, Vienna, Austria, 2009
"Frequency response and bandwidth enhancement in Ge/Si avalanche photodiodes with over 840GHz gain-bandwidth-product"Optics Express, Vol. 17, No. 15, 12641 - 12649, 2009
- John E. Bowers, Anand Ramaswamy, Daoxin Dai, Wissem Sfar Zaoui, Yimin Kang, Tao Yin
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"CMOS-compatible Ge/Si photodetectors"
- The 36th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS), Santa Barbara, CA, USA, 2009 (Invited paper)
- Yimin Kang, Han-Din Liu, Mike Morse, Mario J. Paniccia, Moshe Zadka, Stas Litski, Gadi Sarid, Alexandre Pauchard, Ying-Hao Kuo, Hui-Wen Chen, Wissem Sfar Zaoui, John E. Bowers, Andreas Beling, Dion C. Mcintosh, Xiaoguang Zheng, Joe C. Campbell
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“Epitaxially-Grown Germanium/Silicon Avalanche Photodiodes for Near Infrared Light Detection”
- Conference: Enabling Photonics Technologies for Defense, Security and Aerospace Applications V, Orlando, FL, USA, 2009 (Invited paper)
“Origin of the Gain-Bandwidth-Product Enhancement in
Separate-Absorption-Charge-Multiplication Ge/Si Avalanche Photodiodes”Optical Fiber Communication Conference 2009 (OFC), Paper OMR6, San Diego, CA, USA, 2009
“Microwave Nonlinearities in Ge/Si Avalanche Photodiodes having a Gain-Bandwidth Product of 300 GHz”Optical Fiber Communication Conference 2009 (OFC), Paper OMR1, San Diego, CA, USA, 2009
2008
“Monolithic germanium/silicon avalanche photodiodes with 340 GHz gain–bandwidth product” Nature Photonics 3, 59 – 63, 2008
“Focusing and Coupling into Dielectric Waveguides with Dielectric and Metallic Photonic Crystals”
German Microwave Conference 2008 (GeMIC), 424-427, Hamburg, Deutschland, 2008